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中国科学院在芯片技术上取得了突破,华为麒麟又活了过来

时间: 2020-07-13 10:27:38 作者: 来源:网络 点击:
  据媒体报道,中国在芯片领域迎来了重大的技术突破。最近,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生学研究所研究员张子扬和国家纳米中心研究员柳倩联合出版了一种新的5nm超高精度激光光刻方法。
  这种方法的优点是,它不需要EUV技术来制造5nm芯片,从而打破了技术上的束缚,因为ASML是世界上唯一一家能够生产EUV光刻机的公司,它说以下工艺需要EUV光刻机。
  尽管这项技术仍在实验室进行大量数据测试,但对于目前陷入困境的中国半导体行业来说,它无疑是一根强大的心脏针。美国对华为芯片的连续制裁和打击,使许多国内技术从业者在现实生活中忍受着咬紧牙关的痛苦。
  芯片的性能水平在一定程度上取决于工艺水平,而工艺水平直接关系到光刻工艺的水平,这也使得光刻技术成为IC制造中最复杂、最关键的工艺,光刻机的核心设备被称为半导体工业的王冠。
  台积电能够赢得来自世界各地科技巨头的合同订单,并制造出强大的芯片,因为它拥有ASML最先进的纳米EUV光刻机。
  华为麒麟芯片还借助优秀的集成电路设计和台积电优秀的批量生产工艺,一代一代的性能正在改善,与高通Snap巨龙和Apple A系列的差距正在逐渐缩小。
  坦率地说,半导体芯片制造分为三个阶段:IC设计、IC制造和IC封闭测试。华为主要进行IC设计,台积电则采取后两个步骤。其中,IC制造的核心工具是光刻机,其工作是将掩模上芯片的电路图转移到硅片上。
  据了解,光刻机最重要的指标是光刻分辨率,光刻分辨率与波长和数值孔径NA有关。波长越短,NA越大,光刻精度越高,芯片性能越强,集成度越高。
  这次,中国科学院在无机钛膜光刻胶上采用双激光束重叠技术,通过精确控制激光能量密度和台阶尺寸,实现了1≤55衍射极限(NA=0.9)的突破,达到了最小5nm的特征线宽。
  这一技术突破预计将在中芯国际(SMIC International)、上海微电子(Shanghai MicroElectronics)和其他国内半导体领军企业分批实施,最终目标是打破特朗普和美国政府对国内半导体开发的打击。
  据媒体报道,上海微电子公司成功开发了22 nm光刻机,并利用技术改进措施生产了10 nm芯片,随着中芯国际晶圆合同行业的积累和封闭测试技术的发展,足以看到半导体技术在中国的迅速发展。

(责任编辑:)

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